Ulazak na tržište koherentnog optičkog prijenosa! Ovaj glavni proizvođač optoelektronike lansira DFB laserski čip velike snage

Nedavno je HieFo, vodeća tvrtka u području optičkih komunikacija, službeno lansirala svoj HCL30 DFB laserski čip, koji je dizajniran da zadovolji stroge zahtjeve koherentnog optičkog prijenosa.
Kombinirajući visoku optičku izlaznu snagu s vrhunskim performansama uske širine linije, čip nudi višestruke industrijske standardne valne duljine u O- i C-pojasu, donoseći dosad neviđena poboljšanja performansi za podatkovne centre, povezivanje umjetne inteligencije, komunikacije i općenamjenske senzore.
HCL30 DFB laserski čip razvijen je posebno za 'Coherent Lite' tržište; međutim, na temelju HieFo nedavnih inovacija u dizajnu čipova, vrhunske performanse laserskog čipa HCL30 DFB omogućit će širok raspon primjena, uključujući podatkovne centre, AI povezivost, komunikacije i senzore opće namjene," rekao je dr. Genzao Zhang, co -osnivač i izvršni direktor HieFo vrhunske performanse laserskog čipa koristit će se u širokom rasponu aplikacija kao što su podatkovni centri, AI povezivost, komunikacije i općenamjenski senzor."
HieFo HCL30 je čip duljine šupljine od 1 mm dostupan u obliku matrice ili čipa na nosaču (COC) montiran na zaštićenu bazu. Uređaj je sposoban postići performanse spektralne širine linije manje od 300 KHz uz pružanje 150 mW tipične optičke izlazne snage.
HCL30 je idealno integracijsko rješenje u današnjim visoko integriranim optičkim platformama temeljenim na silikonskim optičkim integracijskim dizajnima. Nove tehnologije CPO (zapakirana optika) i LPO (distribuirana optika) također mogu iskoristiti jedinstvene performanse ovog nedavno objavljenog laserskog čipa.
HCL30 je prvi od HieFo novih DFB laserskih proizvoda koji su predstavljeni kao rezultat nedavnih inovacija u arhitekturi dizajna InP čipova. Ostale varijante proizvoda bit će uvedene u budućnosti kako bi se ispunili specifični zahtjevi optičkog dizajna, kao što su učinkoviti dizajni za ultra-visoku optičku izlaznu snagu ili performanse vrlo uske širine linije.
Lansiranje nove generacije čipa HGC20 s velikim pojačanjem snage
HieFo je također nedavno lansirao HGC20, sljedeću generaciju čipa visoke snage za integrirane prilagodljive laserske sklopove (xITLA).
Dizajniran kako bi zadovoljio kritične potrebe tržišta za većom optičkom izlaznom snagom i nižom potrošnjom energije, HieFo HGC20 C+ band gain čip postavlja novo mjerilo performansi kao građevni blok za sljedeću generaciju integriranih podesivih lasera (xITLA).
Dr. Genzao Zhang je rekao: "Uvođenje HGC20 gain čipa primjer je inovacija koje će HieFo donijeti na tržište optičkih komunikacija u nadolazećim mjesecima i godinama."
Dodao je: "HieFo je značajno poboljšao dizajn baze čipa koji će poslužiti kao temelj za širok raspon aplikacija čipova temeljenih na InP-u koje će pokretati sljedeću generaciju optičkih povezivanja za podatkovne centre, komunikacije i tržišta AI povezivosti ."
HGC20 je čip duljine šupljine od 1 mm montiran na zaštićenu bazu s optičkom izlaznom snagom koja se približava 22dBm (ovisno o struji pogona). Za aplikacije koje zahtijevaju nižu ukupnu potrošnju energije modula, visoko učinkovit dizajn HGC20 omogućuje do 40 posto poboljšanja u učinkovitosti zidne utičnice (WPE) u usporedbi s uobičajenim čipovima pojačanja na tržištu.
Tehnologija čipa za pojačanje HieFo temeljna je građevna jedinica na tržištu podesivih lasera više od 15 godina, a HGC20 nastavlja voditi industriju u parametrima performansi kao što su točnost frekvencije, uska širina linije i niska buka.
Akvizicija imovine proizvođača optoelektroničkih uređaja EMCORE
HieFo, sa sjedištem u Kaliforniji, SAD, nedavno je naslijedio 40+-godišnju ostavštinu inovacija u optoelektronici od EMCORE-a, najvećeg svjetskog dobavljača inercijalnih navigacijskih rješenja za zrakoplovnu i obrambenu industriju, putem menadžerskog otkupa.
HieFo je sada usredotočen na razvoj i komercijalizaciju visoko učinkovitih fotoničkih uređaja za industriju optičkih komunikacija i nastavit će tražiti najinovativnija i najrespektabilnija rješenja koja će opsluživati ​​industrije podataka, komunikacija, AI povezivosti i općih senzora.
Prijavljeno je da je 30. travnja ove godine HieFo kupio potonji posao čipova i posao proizvodnje pločica Indium Phosphide (InP) od EMCORE-a za ukupnu kupovnu cijenu od 2,92 milijuna dolara.
To je uključivalo prijenos gotovo sve imovine povezane s EMCORE-ovom sporednom obustavljenom poslovnom linijom čipova, uključujući one koje se koriste u njegovim operacijama proizvodnje InP pločica u Alhambri, Kalifornija, uključujući, ali ne ograničavajući se na opremu, ugovore, intelektualno vlasništvo i inventar.
HieFo će u početku dati u podzakup kompletnu zgradu i dio druge zgrade na svojoj lokaciji u Alhambri, a na kraju će dati u podzakup dvije kompletne zgrade, s proporcionalnim plaćanjem najamnine za te zgrade počevši od 1. srpnja 2024.
HieFo je također uspješno zaposlio gotovo sve ključne znanstvenike, inženjere i operativno osoblje iz EMCORE-ovih ukinutih operacija čipova i nastavit će poslovati u EMCORE-ovom kampusu Alhambra.
Postrojenje za proizvodnju čipova indijskog fosfida nastavlja s proizvodnjom
HieFo je nedavno objavio da je 23. kolovoza 2024. uspješno ponovno pokrenuo proizvodnju u svom pogonu za proizvodnju pločica Indium Phosphide (InP) u Alhambri u Kaliforniji, odmah nakon što je menadžment otkupio proizvodnju pločica i poslovne imovine povezane s čipovima od EMCORE-a. Akvizicija je uspješno dovršena početkom svibnja 2024., a HieFo je odmah nakon toga preuzeo poslovanje.
Kroz ovu transakciju, HieFo ne samo da je apsorbirao EMCORE-ov izvorni tim ključnih znanstvenika, inženjera i operativnih talenata, već je također naslijedio više od četiri desetljeća globalnog vodstva u dizajnu i proizvodnji InP čipova, kao i bogatstvo intelektualnog vlasništva u naprednoj optoelektronici uređaja.
Vrijedno je napomenuti da je EMCORE planirao izaći iz poslovanja s InP čipovima, što je dovelo do obustave poslovanja s proizvodnjom pločica na neko vrijeme. Međutim, HieFo je brzo nastavio proizvodne aktivnosti u kampusu Alhambra sa svojim iskusnim temeljnim timom i snažnom financijskom snagom.
Tijekom posljednja tri mjeseca HieFo tim je naporno radio na ponovnom pokretanju neaktivne opreme, vraćanju epitaksijalnog rasta pločica i sposobnosti regeneracije MOCVD reaktora, ponovnom pokretanju prednjeg procesa mikrofabrikacije i izradi potpunog procesa testiranja uređaja, pripreme čipova i procesa odvajanja na pozadina.
Trenutačno su uređaji temeljeni na InP-u koje proizvodi HieFo (uključujući lasere, čipove za pojačanje, SOA, PIN/APD detektore itd.) prošli rigorozne testove provjere pouzdanosti, a njihova izvedba, kvaliteta i pouzdanost zadovoljili su ili čak premašili utvrđene standarde.
Posebno je vrijedno spomena da je HieFo pripremio novodizajnirani čip za masovnu proizvodnju, koji je dizajniran za podršku primopredajnicima valne duljine jednog nositelja do 1,6 Tbps, demonstrirajući snagu svoje tehnološke inovacije. Brojni vodeći proizvođači optičkih modula obratili su se HieFou kako bi unaprijed naručili njegove visokoučinkovite optičke uređaje. Ovo postignuće označava solidan korak naprijed za HieFo u pokretanju inovativnih rješenja za industriju telekomunikacija, podatkovne komunikacije i AI povezivosti.
Komentirajući najavu, glavni izvršni direktor HieFo-a rekao je: "Ne možemo biti više zadovoljni što možemo najaviti potpuni nastavak proizvodnje optičkih uređaja u našem pogonu u Alhambri, što nije samo živopisna demonstracija HieFo-ove predanosti kontinuitetu i izvrsnosti u optičkim uređajima visokih performansi proizvodnju čipova, ali i čvrsto uvjerenje da nastavljamo voditi industriju."