Materijali na bazi galijevog nitrida (GaN) poznati su kao poluvodiči treće generacije, čiji spektralni raspon pokriva cijeli pojas valne duljine bliskog infracrvenog, vidljivog i ultraljubičastog zračenja i imaju važnu primjenu u području optoelektronike. Ultraljubičasti laseri na bazi GaN imaju važni izgledi za primjenu u poljima ultraljubičaste litografije, ultraljubičastog stvrdnjavanja, otkrivanja virusa i ultraljubičaste komunikacije zbog karakteristika kratkih valnih duljina, velike energije fotona, jakog raspršenja itd. GaN-bazirani UV laseri također se široko koriste u poljima ultraljubičasta litografija, UV stvrdnjavanje i UV komunikacija. Međutim, budući da su UV laseri temeljeni na GaN-u pripremljeni na temelju tehnologije heterogenih epitaksijalnih materijala s velikom neusklađenošću, nedostaci materijala, dopiranje je teško, niska učinkovitost luminiscencije kvantne jažice, gubitak uređaja, međunarodni su poluvodički laseri u području istraživanja poteškoća. , od strane domaće i strane veliku pozornost.
Institut za istraživanje poluvodiča Kineske akademije znanosti, istraživač Zhao Degang, istraživač suradnik Yang Jing dugoročni fokus na istraživanje optoelektroničkih materijala i uređaja na bazi GaN. 2016. razvio UV laser na bazi GaN [J. Polusekunda. 38, 051001 (2017)], 2022 za realizaciju električne injekcije pobude AlGaN UV lasera (357,9 nm) [J. Polusekunda. 43, 1 (J. Semicond. 43, 1 (2017)]. Semicond. 43, 1 (2022)], a iste je godine proizveden UV laser velike snage s kontinuiranom izlaznom snagom od 3,8 W na sobnoj temperaturi. [Opt. Laser Technol. 156, 108574 (2022)]. nosača u UV kvantnim jažicama, a temperaturne karakteristike UV lasera velike snage značajno su poboljšane uvođenjem nove strukture AlGaN kvantnih barijera i drugih tehnika, a kontinuirana izlazna snaga UV lasera na sobnoj temperaturi dodatno je poboljšana. povećana na 4,6 W, a valna duljina pobude povećana je na 386,8 nm Slika 1 prikazuje pobudni spektar UV lasera velike snage, a Slika 2 prikazuje optičku krivulju snaga-struja-napon (PIV) UV lasera. otkriće UV lasera velike snage na bazi GaN promicat će lokalizaciju uređaja i podržati domaću industriju UV litografije, ultraljubičastih (UV) lasera. Proboj UV lasera velike snage na bazi GaN promicat će proces lokalizacije uređaja i podržati neovisni razvoj domaće UV litografije, UV stvrdnjavanja, UV komunikacije i drugih polja.
Rezultati su objavljeni kao "Poboljšanje temperaturnih karakteristika ultraljubičastih laserskih dioda na bazi GaN korištenjem InGaN/AlGaN kvantnih jažica" u OECD-u. Rezultati su objavljeni u časopisu Optics Letters pod naslovom "Poboljšanje temperaturnih karakteristika ultraljubičastih laserskih dioda na bazi GaN korištenjem kvantnih jažica InGaN/AlGaN". Pridruženi istraživač Jing Yang bio je prvi autor rada, a istraživač Degang Zhao bio je dopisni autor. Ovaj je rad poduprlo nekoliko projekata, uključujući Nacionalni ključni istraživački i razvojni program Kine, Kinesku nacionalnu zakladu za prirodne znanosti i Strateški pilot znanstveni i tehnološki posebni projekt Kineske akademije znanosti.
Slika 1. Ekscitacijski spektar UV lasera velike snage
Slika 2 Optička krivulja snaga-struja-napon (PIV) UV lasera
